SIRA22DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIRA22DP-T1-RE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® SO-8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7570 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.76mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	83.3W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	+16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIRA22