SIR167DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIR167DP-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® SO-8

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4380 pF @ 15 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max)	65.8W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIR167