SIHJ6N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIHJ6N65E-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® SO-8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	596 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	868mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	74W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIHJ6