SIE836DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIE836DF-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

10-PolarPAK® (SH)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package	10-PolarPAK® (SH)
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case	10-PolarPAK® (SH)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.3A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIE836