SIB4316EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIB4316EDK-T1-GE3

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PowerPAK® SC-75-6

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Descripción:

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta), 10W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-75-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta), 6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)