SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIA485DJ-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® SC-70-6

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Descripción:

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	155 pF @ 75 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	15.6W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA485