SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIA456DJ-T3-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® SC-70-6

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA456