SIA108DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIA108DJ-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® SC-70-6

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	545 pF @ 40 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.6A (Ta), 12A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA108