SI8481DB-T1-E1

Vishay Siliconix

Producto No:

SI8481DB-T1-E1

Fabricante:

Paquete:

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max)	2.8W (Tc)
Package / Case	4-UFBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.7A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8481