SI8425DB-T1-E1

Vishay Siliconix

Producto No:

SI8425DB-T1-E1

Fabricante:

Paquete:

4-WLCSP (1.6x1.6)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 4WLCSP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package	4-WLCSP (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Package / Case	4-UFBGA, WLCSP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.9A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8425