SI7119DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI7119DN-T1-GE3

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PowerPAK® 1212-8

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Descripción:

MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

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Operating Temperature	-50°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	666 pF @ 50 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.8A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7119