SI5913DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI5913DC-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

1206-8 ChipFET™

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max)	1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI5913