SI5414DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI5414DC-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

1206-8 ChipFET™

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI5414