SI1499DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI1499DH-T1-GE3

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SC-70-6

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Descripción:

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 4 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package	SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1499