PMZB290UNE,315

NXP USA Inc.

Producto No:

PMZB290UNE,315

Fabricante:

Paquete:

DFN1006B-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	83 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.68 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package	DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Package / Case	SC-101, SOT-883
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Mfr	NXP USA Inc.
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Bulk