IV1Q12160T4

Inventchip

Producto No:

IV1Q12160T4

Fabricante:

Paquete:

TO-247-4

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 106

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	885 pF @ 800 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 10A, 20V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 1.9mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	138W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Mfr	Inventchip
Vgs (Max)	+20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube