IV1Q12050T3

Inventchip

Producto No:

IV1Q12050T3

Fabricante:

Paquete:

TO-247-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2770 pF @ 800 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 6mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	327W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Tc)
Mfr	Inventchip
Vgs (Max)	+20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube