ZXMN10B08E6TC

Diodes Incorporated

Produit non:

ZXMN10B08E6TC

Fabricant:

Forfait:

SOT-26

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Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	497 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package	SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)
Package / Case	SOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.3V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)