SPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
Produit non:
SPB80N06S2L-H5
Fabricant:
Forfait:
PG-TO263-3-2
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 230µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Series | OptiMOS™ |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SPB80N |
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