SM8S10HE3/2E
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produit non:
SM8S10HE3/2E
Forfait:
DO-218AB
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO218AB
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Current - Peak Pulse (10/1000µs) | 351A |
| Applications | Automotive |
| Capacitance @ Frequency | - |
| Voltage - Breakdown (Min) | 11.1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Power - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
| Supplier Device Package | DO-218AB |
| Series | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
| Type | Zener |
| Package / Case | DO-218AB |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 18.8V |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
| Unidirectional Channels | 1 |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Power Line Protection | No |
| Base Product Number | SM8S10 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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