IRLR2908TRLPBF
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IRLR2908TRLPBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRLR2908TRLPBF

Forfait:

D-Pak

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)