ES1DLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
Produit non:
ES1DLHM2G
Fabricant:
Forfait:
Sub SMA
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Package / Case | DO-219AB |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Base Product Number | ES1D |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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