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VS-10ETF12SLHM3
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VS-10ETF12SLHM3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Producto No:

VS-10ETF12SLHM3

Paquete:

TO-263AB (D²PAK)

Lote:

-

Ficha de datos:

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Descripción:

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 310 ns
Capacitance @ Vr, F -
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V
Series Automotive, AEC-Q101
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.33 V @ 10 A
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 10A
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Base Product Number 10ETF12