VS-10ETF12-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Producto No:

VS-10ETF12-M3

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Paquete:

TO-220AC

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Descripción:

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	310 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.33 V @ 10 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Tube
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	-40°C ~ 150°C
Base Product Number	10ETF12