TSM900N06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Producto No:

TSM900N06CP ROG

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TO-252, (D-Pak)

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Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	25W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM900