TPH3202PD

Transphorm

Producto No:

TPH3202PD

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 480 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 5.5A, 8V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	65W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Mfr	Transphorm
Vgs (Max)	±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube