STS19N3LLH6

STMicroelectronics

Producto No:

STS19N3LLH6

Fabricante:

Paquete:

8-SOIC

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1690 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	DeepGATE™, STripFET™ VI
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STS19