STI34N65M5

STMicroelectronics

Producto No:

STI34N65M5

Fabricante:

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I2PAKFP (TO-281)

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Descripción:

MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package	I2PAKFP (TO-281)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STI34N