STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

Producto No:

STB42N60M2-EP

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D²PAK (TO-263)

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Descripción:

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2370 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	87mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	MDmesh™ M2-EP
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STB42