STB12NM60N

STMicroelectronics

Producto No:

STB12NM60N

Fabricante:

Paquete:

D2PAK

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	960 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	410mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	MDmesh™ II
Power Dissipation (Max)	90W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STB12N