SQS482EN-T1_BE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQS482EN-T1_BE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® 1212-8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1865 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	62W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)