SI4931DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI4931DY-T1-E3

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8-SOIC

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Descripción:

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 350µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1.1W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.7A
Mfr	Vishay Siliconix
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4931