SI4511DY-T1-E3
Vishay Siliconix
Producto No:
SI4511DY-T1-E3
Fabricante:
Paquete:
8-SOIC
Lote:
-
Ficha de datos:
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
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Información del producto
Parámetro Info
Guía del usuario
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | N and P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Series | - |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 1.1W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A, 4.6A |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Cut Tape (CT) |
| Base Product Number | SI4511 |
Piezas recomendadas
2000+Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000Unidad de producto estándar
2800+Fabricantes mundiales
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