SCT3105KW7TL

Rohm Semiconductor

Producto No:

SCT3105KW7TL

Fabricante:

Paquete:

TO-263-7

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 1955

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	574 pF @ 800 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 18 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	137mOhm @ 7.6A, 18V
Supplier Device Package	TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 3.81mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	125W
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	+22V, -4V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SCT3105