RX3P10BBHC16

Rohm Semiconductor

Producto No:

RX3P10BBHC16

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

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Descripción:

NCH 100V 170A, TO-220AB, POWER M

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8600 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	189W (Ta)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Ta), 100A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	RX3P10