RDD050N20TL

Rohm Semiconductor

Producto No:

RDD050N20TL

Fabricante:

Paquete:

CPT3

Lote:

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Descripción:

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

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Operating Temperature	-
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	292 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	720mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	20W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RDD050