PMV213SN,215

Nexperia USA Inc.

Producto No:

PMV213SN,215

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TO-236AB

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Descripción:

MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 20 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	280mW (Tj)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMV213