PMCB60XNZ

Nexperia USA Inc.

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PMCB60XNZ

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DSN1006-3

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PMCB60XN/NAX000/NONE

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	241 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package	DSN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	480mW (Ta), 7W (Tc)
Package / Case	3-XFDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)