NVTFS027N10MCLTAG

onsemi

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NVTFS027N10MCLTAG

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8-WDFN (3.3x3.3)

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PTNG 100V LL U8FL

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package	8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 38µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 46W (Tc)
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.4A (Ta), 28A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)