NTMTS1D5N08H

onsemi

Producto No:

NTMTS1D5N08H

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8-DFNW (8.3x8.4)

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T8-80V IN PQFN88 FOR INDU

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8220 pF @ 40 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package	8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	4.2W (Ta), 208W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Ta), 255A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTMTS1D