NTLJS3D0N02P8ZTAG

onsemi

Producto No:

NTLJS3D0N02P8ZTAG

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Paquete:

6-PQFN (2x2)

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2165 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package	6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	860mW (Ta)
Package / Case	6-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.1A (Ta)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTLJS3