NTH4L022N120M3S

onsemi

Producto No:

NTH4L022N120M3S

Fabricante:

Paquete:

TO-247-4L

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3175 pF @ 800 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	151 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
Supplier Device Package	TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 20mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	352W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	68A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	+22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube