NTBS9D0N10MC

onsemi

Producto No:

NTBS9D0N10MC

Fabricante:

Paquete:

D²PAK-3 (TO-263-3)

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Descripción:

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1695 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package	D²PAK-3 (TO-263-3)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 131µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Ta), 60A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTBS9