NDS8852H

onsemi

Producto No:

NDS8852H

Fabricante:

Paquete:

8-SOIC

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A, 3.4A
Mfr	onsemi
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NDS885