MURT40010R
GeneSiC Semiconductor
Producto No:
MURT40010R
Fabricante:
Paquete:
Three Tower
Lote:
-
Ficha de datos:
Descripción:
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Cantidad:
Entrega:
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Información del producto
Parámetro Info
Guía del usuario
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 125 ns |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Series | - |
| Package / Case | Three Tower |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 200 A |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Package | Bulk |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Base Product Number | MURT40010 |
Piezas recomendadas
2000+Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000Unidad de producto estándar
2800+Fabricantes mundiales
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