IXTT90P10P

IXYS

Producto No:

IXTT90P10P

Fabricante:

Paquete:

TO-268AA

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 90A TO268

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5800 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package	TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	PolarP™
Power Dissipation (Max)	462W (Tc)
Package / Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTT90