IXTP1N100P

IXYS

Producto No:

IXTP1N100P

Fabricante:

Paquete:

TO-220-3

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	331 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Series	Polar
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTP1