IXTN110N20L2
detaildesc

IXTN110N20L2

IXYS

Producto No:

IXTN110N20L2

Fabricante:

IXYS

Paquete:

SOT-227B

Lote:

-

Ficha de datos:

pdf

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B

Cantidad:

Entrega:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Pago:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : 383

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

  • 1

    $47.823

    $47.823

  • 10

    $42.61035

    $426.1035

  • 100

    $37.40093

    $3740.093

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500 nC @ 10 V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 735W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXTN110