IRF710

Harris Corporation

Producto No:

IRF710

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

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Descripción:

PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	135 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	400 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	36W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Mfr	Harris Corporation
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	IRF710