IPD50R399CP

Infineon Technologies

Producto No:

IPD50R399CP

Fabricante:

Paquete:

PG-TO252-3-11

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	890 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	399mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 330µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	CoolMOS™ CP
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD50R